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IGFET
Insulated-gate field-effect transistor (kurz: IGFET, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffektttransistoren, bei denen der Stromfluss durch Ladungsträgerinduktion über ein isoliertes Gate gesteuert wird. Sie werden alternativ auch nach der typischen Schichtstruktur (Metall-Isolator-Halbleiter) als MISFETs (metal insulator semiconductor FET, Metall-Isolator-Halbleiter FET) bezeichnet.
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