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Insulated Gate Bipolar Transistor
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode (engl. insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, welches zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es die Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und die Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
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