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Rashba-Effekt
Als Rashba-Effekt bezeichnet man die Beeinflussung des Elektronenspins in Spin Feld-Effekt Transistoren (Spin FET). Dabei ist es entscheidend, dass sich spinpolarisierte Elektronen ballistisch (ohne Streuung) in einem Halbleiter bewegen können; realisiert wird dies bisher nur bei tiefen Temperaturen in hochreinen Halbleiterkristallen.
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